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中科院:光刻技术得到重大发展

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-06-11 09:52:33
核心提示:6月10日,中国科学院官网刊文称,上海光机所在计算光刻技术研究方面取得重要进展。中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电

6月10日,中国科学院官网刊文称,上海光机所在计算光刻技术研究方面取得重要进展。

中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室,提出一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC)。仿真结果显示,这技术具有较高的修正效率。

随着集成电路图形的特征尺寸不断减小,光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应,降低了光刻成像质量。

在光刻机软硬件不变的情况下,采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化,可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口,此类技术即计算光刻技术(Computational Lithography),被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。

快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC)通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应,从而提高成像质量。基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。


 
 
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